開発事例

特徴

・現在、ポリイミド(PI)、テフロン(PTFE)にダイレクトめっきが可能です。

・ポリイミド(PI)には、平滑なめっき被膜の形成が可能です。(テフロン(PTFE)は開発中)

技術要旨

樹脂とめっき被膜の密着性確保のために、粗化によるアンカー効果ではなく化学結合層の成膜による工法を開発中です。

開発中技術の利点まとめ

エンプラ系を中心とした様々な樹脂に、平滑なめっき被膜をダイレクトにめっきさせることを目指しております。

めっき仕様(開発・試作実績)

・無電解ニッケル-ボロン(Ni-B)：～0.2μ

・無電解めっき上に電解銅めっき(Cu)：10～20μ

・樹脂の材質：ポリイミド(PI)、テフロン(PTFE)(その他の材質も取り組んでおります)

想定される用途

5G関連部材(高周波・ミリ波通信用)を想定しています。

取り組んでいる課題

・樹脂上へのダイレクト銅めっき

・テフロン(PTFE)を粗化させずにめっき

・その他、取り組んでいるエンプラ材料
液晶ポリマー(LCP)/シクロオレフィンポリマー(COP)/ポリフェニレンエーテル(PPE)/ポリフェニレンサルファイド(PPS)/パーフルオロアルコキシアルカン(PFA)
※NDA締結による共同での用途開発など、お気軽にご相談ください。